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29 giugno 2013

Premio ICICDT 2013 a giovane ricercatore Unimore

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Premio ICICDT 2013 a giovane ricercatore Unimore

Premio ICICDT 2013 a giovane ricercatore Unimore

Premio ICICDT 2013 a giovane ricercatore dell’Università Unimore si aggiudica il Best Student Paper Award, assegnato alla Conferenza Internazionale su IC Design and Technology – ICICDT.

E’ l’ing. Francesco Maria Puglisi, iscritto al secondo anno della Scuola di Dottorato in Information and Communication Technologies  dell’Ateneo emiliano Unimore, che si è visto riconosciuti gli studi che sta conducendo su un modello circuitale compatto di una RRAM basata su ossido di hafnio, un dispositivo innovativo proposto per le future generazioni di tecnologie per le memorie non volatili.

Un dottorando dell’Università Unimore si è aggiudicato il Best Student Paper Award per il miglior articolo prodotto nel campo dell’ICT. Il vincitore di questo importante riconoscimento, assegnato per la prima volta ad uno studente UNIMORE, è l’ing. Francesco Maria Puglisi, un ricercatore iscritto al secondo anno della Scuola di Dottorato Internazionale in Information and Communication Technologies del Dipartimento di Ingegneria “Enzo Ferrari”.

Il premio ICICDT 2013, giunto alla sua sesta edizione è stato consegnato al giovane durante la recente conferenza internazionale “IC Design and Technology – ICICDT 2013” tenutasi a Pavia.

La giuria del premio ICICDT 2013 in particolare ha manifestato il suo apprezzamento per il lavoro del dott. Francesco Maria Puglisi su “Compact Model of Hafnium-Oxide-Based Resistive Random Access Memory”, nel quale si propone un modello circuitale compatto di una RRAM basata su ossido di hafnio, un dispositivo innovativo proposto per le future generazioni di tecnologie per le memorie non volatili. Il modello può essere implementato in simulatori circuitali e permette, quindi, di progettare i circuiti per il funzionamento delle memorie in modo più preciso e corretto. Il modello include anche la gestione degli effetti termici ed è capace di riprodurre le variazioni stocastiche che questi dispositivi manifestano in diversi cicli di cancellazione/scrittura e lettura. Il modello è veloce e di facile implementazione: semplici misure corrente – tensione sono sufficienti ad estrarre l’insieme completo dei parametri che definiscono il modello, il quale riproduce accuratamente le caratteristiche del dispositivo in diverse condizioni operative, anche a livello statistico.

Sono molto orgoglioso di aver ricevuto questo premio – afferma l’ing. Francesco Maria Puglisi vincitore del premio – che onora il mio impegno e la passione che metto nel mio lavoro. Inoltre rende omaggio ed aumenta la visibilità internazionale di un lavoro nel quale credo molto

Parole di soddisfazione sono state espresse anche dal prof. Paolo Pavan, docente di Elettronica all’Università Unimore – in quanto il premio al suo giovane allievo conferma la mia considerazione per l’alta qualità del lavoro che Francesco sta portando avanti durante il suo Dottorato. La sua originalità di pensiero, la quantità e la qualità del lavoro che svolge vengono riconosciuti anche in un contesto internazionale prestigioso. Il lavoro che Francesco sta portando avanti, cattura già ora  l’interesse di diversi gruppi di ricerca con i quali stiamo attivando nuove e spero proficue collaborazioni. Sono dunque fiero di lui e credo che il riconoscimento sia ampiamente meritato”.

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